Компания Vishay  анонсировала выпуск 600 и 650 вольтовых n-канальных MOSFET транзисторов с ультранизким максимальным сопротивлением открытого канала.

В основе новых транзисторов лежит технология Super Junction, позволяющая создавать MOSFET транзисторы с ультранизким зарядом затвора и малыми временами включения. Максимальный выходной ток новинок, может достигать 47 А. Благодаря технологии Super Junction, сопротивление транзисторов в открытом состоянии, по сравнению с предыдущими версиями, уменьшено на 30% . Благодаря низким входным емкостям значительно уменьшены потери управления затвором. В новую серию MOSFET транзисторов, Е серию, вошли 12 новых транзисторов.

Благодаря ультранизкому сопротивлению в открытом состоянии, новинки превосходно подходят для применения высококачественных ключевых приложениях, позволяя экономить энергию.

В новую линейку MOSFET транзисторов, вошли следующие модели:

SiHP22N60E
SiHF22N60E
SiHG22N60E
SiHB22N60E
SiHP24N65E
SiHG24N65E
SiHB24N65E
SiHP30N60E
SiHF30N60E
SiHG30N60E
SiHB30N60E
SiHG47N60E

Новинки выпускаются в корпусах TO-220, TO-220 FullPAK, TO-263 (D2PAK), TO-247, диапазон рабочих температур от - 55 °С до + 150 °C

Область применения:

- Телекоммуникационное оборудование
- Сварочное оборудование
- Плазменная резка
- Зарядные устройства
- Газоразрядные лампы высокой интенсивности
- Оборудование полупроводниковых производств
- Инверторы для солнечных батарей
- Индукционные печи

Характеристики:

- Диапазон рабочих температур: от -55°C до +150°C
- Температура хранения: от –55° до +150°С
- Корпус: TO-220, TO-220 FullPAK, TO-263 (D2PAK), TO-247
- RoHS